功能描述：MOSFET P-CH 20V 2.4A TO236AB

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.25V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：6nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：386pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：463mW（Ta）, 1.9W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：128 毫欧 @ 2.4A, 4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-236AB

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：1

PMV117EN

PMV117EN,125

PMV117EN,215

PMV117EN.215

PMV117ENT/R

PMV130ENEAR

PMV160UP

PMV160UP,215

PMV160UP.215

PMV16UN